ITO無氧化烤箱,防氧化退火爐薄膜電導(dǎo)率隨退火溫度的上升呈先上升后下降的變化。上升階段,載流子濃度和遷移率共同影響電導(dǎo)率;下降階段,遷移率的降低對電導(dǎo)率的減小起到主要作用。
ITO無氧化烤箱,防氧化退火爐簡介:
ITO薄膜是一種n型半導(dǎo)體材料,具有高的導(dǎo)電率、高的可見光透過率、高的機(jī)械硬度和良好的化學(xué)穩(wěn)定性。ITO制備工藝中退火是非常重要的工藝步驟,對烤箱的溫度、含氧量都有明確的要求。
ITO無氧化烤箱,防氧化退火爐的必要性:
1、在ITO中,Sn是以替位參雜的方式,取代In出現(xiàn)在In2O3晶格中,形成氧化銦錫置換固溶體隨著退火溫度的升高,峰強(qiáng)增強(qiáng),ITO晶粒擇優(yōu)生長,晶粒尺寸隨溫度的上升而變大。
2、隨著退火溫度的升高,ITO薄膜的微觀結(jié)構(gòu)得到改善,表面形貌均一穩(wěn)定,但當(dāng)退火溫度超過某一界*,ITO顆粒大小不一,形狀各異,小顆粒團(tuán)聚現(xiàn)象嚴(yán)重,薄膜的表面形貌遭到破壞。
3、薄膜電導(dǎo)率隨退火溫度的上升呈先上升后下降的變化。上升階段,載流子濃度和遷移率共同影響電導(dǎo)率;下降階段,遷移率的降低對電導(dǎo)率的減小起到主要作用。
ITO無氧化烤箱技術(shù)指標(biāo):
內(nèi)腔尺寸:W600mm×D600mm×H600mm(可定做)
材質(zhì):SUS304不銹鋼
溫度范圍:RT+10-450℃,使用溫度≤400℃
溫度分辨率:0.1℃
溫度波動度:<±0.5℃
溫度均勻度:≤±1.5%
潔凈度:class 100,設(shè)備采用無塵材料,適用100級光刻間凈化環(huán)境
電源及總功率:AC 380V±10% / 50HZ 總功率約21.0KW
升溫速度:8℃/min,(空箱測試)可自定義
降溫速度:約3℃/min(空箱測試)可自定義
氧含量分析儀:≤ 100ppm