HMDS六甲基二硅胺烷成底膜的方法與優(yōu)點(diǎn)

HMDS六甲基二硅胺烷成底膜的重要性

  半導(dǎo)體生產(chǎn)工藝中，光刻是集成電路圖形轉(zhuǎn)移重要的一個(gè)工藝環(huán)節(jié)，涂膠質(zhì)量直接影響到光刻的質(zhì)量，涂膠工藝也顯得尤為重要。光刻涂膠工藝中絕大多數(shù)光刻膠是疏水的，而硅片表面的羥基和殘留的水分子是親水的，這造成光刻膠和硅片的黏合性較差，尤其是正膠，顯影時(shí)顯影液會侵入光刻膠和硅片的連接處，容易造成漂條、浮膠等，導(dǎo)致光刻圖形轉(zhuǎn)移的失敗，同時(shí)濕法腐蝕容易發(fā)生側(cè)向腐蝕。增黏劑 HMDS(六甲基二硅氮烷)可以很好地改善這種狀況。智能型HMDS真空系統(tǒng)將HMDS 涂到半導(dǎo)體制造中硅片、砷化鎵、鈮酸鋰、玻璃、藍(lán)寶石、晶圓等材料表面后，經(jīng)烘箱加溫可反應(yīng)生成以硅氧烷為主體的化合物。它成功地將硅片表面由親水變?yōu)槭杷?，其疏水基可很好地與光刻膠結(jié)合，起著偶聯(lián)劑的作用。

HMDS六甲基二硅胺烷成底膜的方法：

（1）浸潤分滴和旋轉(zhuǎn)。浸潤分滴和旋轉(zhuǎn)的方法常用于單個(gè)硅片的處理。溫度和用量容易控制，但需要排液和排氣裝置。缺點(diǎn)是HMDS消耗量較大及對人體傷害的問題。

（2）噴霧分滴和旋轉(zhuǎn)。噴霧的方法是用一噴霧器在晶圓片表面噴一層細(xì)微的 HMDS，這種方法的優(yōu)點(diǎn)是有助于晶圓片表面顆粒的去除，但同樣存在消耗量較大的問題及對人體傷害的問題。

（3）氣相成底膜是常用的方法，通常在120～150℃下完成。氣相成底膜的優(yōu)點(diǎn)是由于沒有與硅片的接觸減少了來自液體 HMDS 顆粒沾污的可能，并且HMDS 的消耗量也最少。氣相成底膜的溫度與烘焙溫度接近，因此在實(shí)際操作中也常將二者結(jié)合起來使用